ICP刻蝕原理及應(yīng)用

原理：等離子體對(duì)材料的刻蝕分為物理刻蝕和化學(xué)劑刻蝕，物理刻蝕是通過(guò)加速離子對(duì)基片表面的撞擊來(lái)將基片表面的原子濺射出來(lái)。為離子能量的損耗為代價(jià)達(dá)到刻蝕的目的。化學(xué)反應(yīng)刻蝕是反應(yīng)等離子體在放電過(guò)程中產(chǎn)生離子和許多化學(xué)活性中性物質(zhì)即自由基。這些中性物質(zhì)是活躍的刻蝕劑，它與基片發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

工作原理：

ICP系統(tǒng)中有2個(gè)獨(dú)立的RF電源，RF1與RF2.一個(gè)接到反應(yīng)室外的電感線圈，一個(gè)接到反應(yīng)室內(nèi)的電極。給反應(yīng)室外的線圈加功率時(shí)，反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生交變的電磁場(chǎng)，當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到一定程度時(shí)，氣體產(chǎn)生放電現(xiàn)象，進(jìn)入等離子狀態(tài)。交變的電磁場(chǎng)，使等離子體中的電子路徑改變?cè)黾拥入x子體的密度。反應(yīng)室內(nèi)的電極放電后提供一個(gè)偏置電壓給等離子體提供能量，使等離子體垂直作用于基片。并與基片發(fā)生成可揮發(fā)的氣態(tài)物質(zhì)，以達(dá)到刻蝕的目的。

等離子刻蝕主要應(yīng)用在半導(dǎo)體晶圓制作的微電路與圖案的刻蝕。

K-mate 系列射頻電源及自動(dòng)匹配器為國(guó)內(nèi)多家知名企業(yè)與高校如中科院，沈陽(yáng)科儀等單位保持長(zhǎng)期射頻電源及自動(dòng)匹配器供應(yīng)。在ICP，RIE等刻蝕設(shè)備上針對(duì)上電極線圈負(fù)載與下電極容性負(fù)載。配上對(duì)應(yīng)的不同阻抗網(wǎng)絡(luò)的射頻自動(dòng)匹配器。能夠迅速調(diào)整匹配起輝放電。且能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。